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NAPSON EC-80P 非接觸式渦流電阻/電阻率測(cè)量?jī)x 的產(chǎn)品規(guī)格說(shuō)明書(shū)

更新時(shí)間:2026-03-09      瀏覽次數(shù):140

NAPSON EC-80P 非接觸式渦流電阻/電阻率測(cè)量?jī)x 的產(chǎn)品規(guī)格說(shuō)明書(shū)

?? 1. 產(chǎn)品概覽


  • 產(chǎn)品名稱(chēng):EC-80P Non-Contact Type (非接觸式)

  • 測(cè)量原理:渦流法 (Eddy Current method)

  • 啟動(dòng)方式:探頭接觸樣品自動(dòng)開(kāi)始測(cè)量

  • 測(cè)量模式:提供三種模式,分別為晶圓電阻率、體電阻率和薄層電阻(Sheet Resistance)。


?? 2. 測(cè)量范圍與探頭類(lèi)型


該設(shè)備的測(cè)量范圍取決于所選的探頭類(lèi)型,具體參數(shù)如下表所示:

參數(shù)低阻探頭中阻探頭高阻探頭超高阻探頭太陽(yáng)能晶圓探頭
電阻率 (Ω.cm)0.001 - 0.050.05 - 0.50.5 - 60.060.0 - 200.00.2 - 15.0
薄層電阻 (Ω/Sq)0.01 - 0.50.5 - 10.010.0 - 1k1k - 3k5 - 500




?? 3. 適用材料與操作


  • 適用材料

    • 半導(dǎo)體與光伏:硅 (Silicon)、多晶硅、碳化硅 (SiC) 等。

    • 功能材料:碳納米管、DLC(類(lèi)金剛石碳)、石墨烯、銀納米線等。

    • 導(dǎo)電薄膜:金屬、ITO(氧化銦錫)等。

    • 化合物半導(dǎo)體:砷化鎵外延 (GaAs Epi)、氮化鎵外延 (GaN Epi)、磷化銦 (InP) 等。

  • 操作特點(diǎn):通過(guò) JOG 旋鈕 即可輕松設(shè)置測(cè)量條件。


該設(shè)備專(zhuān)為半導(dǎo)體及光伏行業(yè)設(shè)計(jì),通過(guò)非接觸式渦流技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)多種導(dǎo)電材料的快速電阻率檢測(cè),覆蓋了從低阻到超高阻的廣泛測(cè)量需求。



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