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日本納普森(Napson)公司EC-80P(便攜式) 電阻率與方塊電阻測量儀 介紹

更新時間:2026-03-09      瀏覽次數:131

本文將介紹日本納普森(Napson)公司生產的 EC-80P(便攜式) 電阻率與方塊電阻測量儀。這是一款利用**渦流法(Eddy Current Method)**進行非接觸、非破壞性測量的手持設備。

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1. 核心概念:測量原理與特點

這款設備最的大的特點是**“非接觸"**,它不需要像傳統四探針法那樣刺破或接觸樣品表面,而是利用電磁感應原理進行測量。

  • 測量原理: 渦流法(Eddy Current)。探頭產生交變磁場,在導電樣品中感應出渦流,通過檢測渦流對磁場的反作用來計算電阻。

  • 主要優勢:

    • 非破壞性: 不損傷樣品表面,適合測量昂貴或易損材料。

    • 便攜性: 手持式設計,可靈活移動,適用于現場或實驗室。

    • 操作簡便: 通過JOG旋鈕設定條件,探頭可更換以適應不同量程。


2. 關鍵數據:技術規格


以下是該設備的核心技術參數,涵蓋了它能測什么以及測得有多準。

參數類別詳細規格備注
測量對象半導體(硅、SiC)、新型材料(石墨烯、CNT)、導電薄膜(ITO)、化合物半導體等適用范圍廣泛
適用尺寸尺寸/形狀不限(需大于 20mmφ 且表面平整)探頭直徑為20mm
電阻率范圍1 mΩ·cm ~ 200 Ω·cm厚度500μm時
方塊電阻范圍10 mΩ/□ ~ 3 kΩ/□全探頭總范圍
設備尺寸主機:255×275×95mm (4kg)
探頭:20mmφ×80mm
便攜設計







3. 詳細測量范圍(分探頭類型)


為了覆蓋從極低到極的高阻值的材料,該設備支持更換不同類型的探頭。以下是文檔中列出的詳細分檔:

  • 低阻探頭: 0.01 ~ 0.5 Ω/□ (對應 0.001 ~ 0.05 Ω·cm)

  • 中阻探頭: 0.5 ~ 10 Ω/□ (對應 0.05 ~ 0.5 Ω·cm)

  • 高阻探頭: 10 ~ 1,000 Ω/□ (對應 0.5 ~ 60 Ω·cm)

  • 超高阻探頭: 1,000 ~ 3,000 Ω/□ (對應 60 ~ 200 Ω·cm)

  • 專用探頭: 太陽能晶片專用 (5 ~ 500 Ω/□)


4. 應用場景


根據測量對象的分類,這款設備主要應用于以下領域:

  • 半導體行業: 硅片、碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)等外延片的檢測。

  • 新能源行業: 太陽能電池材料的評估。

  • 新材料研發: 碳納米管、石墨烯、銀納米線等新型導電材料的特性分析。

  • 顯示行業: ITO(氧化銦錫)導電薄膜的測量。


總結建議:如果你需要在不損壞樣品的前提下,快速檢測半導體晶圓或導電薄膜的電阻特性,且樣品尺寸大于20mm,這款便攜式渦流儀是一個非常合適的選擇。


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